模拟CMOS 第1章模拟电路基础设计

我会带着你远行 2022-10-29 11:28 177阅读 0赞

### 模拟CMOS 第1章 模拟电路基础设计 ###

### 文章目录 ###

*   *   *  模拟CMOS 第1章 模拟电路基础设计
         *   *  1.1 研究模拟电路的重要性
             *  1.2 研究模拟集成电路的重要性
             *  1.3 研究CMOS集成电路的重要性
             *  1.4 本书的特点
             *  1.5 电路设计的一般概念
             *   *  1.5.1 抽象级别
                 *  1.5.2 鲁棒模拟电路设计
                 *  1.5.3 符号

#### 1.1 研究模拟电路的重要性 ####

*  自然界信号处理
 *  数字通信
 *  磁盘驱动电子学
 *  无线接收器
 *  光接收器
    
     *  ![image-20210213222737651][]
 *  传感器
 *  微处理器和存储器

#### 1.2 研究模拟集成电路的重要性 ####

*  略

#### 1.3 研究CMOS集成电路的重要性 ####

*  略

#### 1.4 本书的特点 ####

*  直观、严密

#### 1.5 电路设计的一般概念 ####

##### 1.5.1 抽象级别 #####

*  器件物理级、晶体管级、结构级、系统级
    
     *  ![image-20210213223345795][]

##### 1.5.2 鲁棒模拟电路设计 #####

*  PVT(Process、Voltage、Temperature)=制造工艺+电源电压+温度环境变化+其他
    
     *  工艺角（process corner）：
        
         *  不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。
     *  电压：1V+10% ,1V ,1V-10%
     *  温度：-40C , 0C, +25C, 125C
     *  时序分析中：
        
         *  最好的条件（Best Case）——速度最快的情况；
         *  最坏的条件（Worst Case）——速度最慢的情况
 *  在制定PVT变化范围内，所设计的电路性能变化应在一个允许的范围内。

##### 1.5.3 符号 #####

*  集成电路中的电压和电流通常包括：偏压部分和信号部分
 *  书中的符号表示
    
     *  电路的低频增益写作：![image-20210213224743425][]
     *  电路的高频增益写作：![image-20210213224812200][]
     *  大部分电压、电流都用大写字母表示

[image-20210213222737651]: /images/20221024/9e594998bdcf4cb99f930f22d14ecf86.png
[image-20210213223345795]: /images/20221024/2dd92282a7064c36b78dc42f962caa7a.png
[image-20210213224743425]: /images/20221024/ec941e48526944a39514f250bc2e6c15.png
[image-20210213224812200]: /images/20221024/6fb759263f664935b97f774920186032.png